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在光耦驅動(dòng)電路中，MOS管的驅動(dòng)電流需要特別的計算，計算的公式也有很多版本，在本文中講了一些具體的解法，大家對于這部分內容感興趣的話(huà)，可以了解一下。

有人可能會(huì )這樣計算：

開(kāi)通電流
Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，帶入數據得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA

關(guān)斷電流
Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，帶入數據得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。

于是乎得出這樣的結論，驅動(dòng)電流只需 300mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？這里必須要注意這樣一個(gè)條件細節，RG=25Ω。所以這個(gè)指標沒(méi)有什么意義。

應該怎么計算才對呢？其實(shí)應該是這樣的，根據產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)速度來(lái)決定開(kāi)關(guān)電流。根據I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數據，和我們線(xiàn)路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時(shí)候，Qg=105nC。如果用1A的驅動(dòng)能力去驅動(dòng)，就可以得到最快105nS的開(kāi)關(guān)速度。

當然這也只能估算出驅動(dòng)電流的數值，還需進(jìn)一步測試MOS管的過(guò)沖波形。在設計驅動(dòng)電路的時(shí)候，一般在MOS管前面串一個(gè)10Ω左右的電阻（根據測試波形調整參數）。

這里要注意的是要用Qg來(lái)計算開(kāi)啟關(guān)斷速度，而不是用柵極電容來(lái)計算。