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在光耦驅動(dòng)電路中,MOS管的驅動(dòng)電流需要特別的計算,計算的公式也有很多版本,在本文中講了一些具體的解法,大家對于這部分內容感興趣的話(huà),可以了解一下。
有人可能會(huì )這樣計算:
開(kāi)通電流
Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr,帶入數據得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA
關(guān)斷電流
Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf,帶入數據得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。
于是乎得出這樣的結論,驅動(dòng)電流只需 300mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎?這里必須要注意這樣一個(gè)條件細節,RG=25Ω。所以這個(gè)指標沒(méi)有什么意義。
應該怎么計算才對呢?其實(shí)應該是這樣的,根據產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)速度來(lái)決定開(kāi)關(guān)電流。根據I=Q/t,獲得了具體MOS管Qg數據,和我們線(xiàn)路的電流能力,就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50,它在Vgs=10V,VDS=400V,Id=48A的時(shí)候,Qg=105nC。如果用1A的驅動(dòng)能力去驅動(dòng),就可以得到最快105nS的開(kāi)關(guān)速度。
當然這也只能估算出驅動(dòng)電流的數值,還需進(jìn)一步測試MOS管的過(guò)沖波形。在設計驅動(dòng)電路的時(shí)候,一般在MOS管前面串一個(gè)10Ω左右的電阻(根據測試波形調整參數)。
這里要注意的是要用Qg來(lái)計算開(kāi)啟關(guān)斷速度,而不是用柵極電容來(lái)計算。
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